TRANSISTOR IGBT MBQ40T65QES = Q 40T65 QES - 40A 650V - TO247

Transistor IGBT MBQ40T65QES 40A 650V TO-247 Novo

Produto novo e de alta qualidade, indicado para aplicações de potência que exigem alta eficiência, rápida comutação e excelente desempenho térmico.

O MBQ40T65QES utiliza tecnologia Field Stop Trench IGBT, oferecendo baixa perda de potência e ótimo desempenho em aplicações industriais e eletrônicas de alta demanda.

Especificações Técnicas:

• Modelo: MBQ40T65QES

• Marcação: 40T65QES

• Tipo: IGBT com diodo antiparalelo integrado

• Tensão Coletor-Emissor (Vce): 650V

• Corrente: 40A nominal

• Corrente de pico: até 80A

• Encapsulamento: TO-247

• Tecnologia: Field Stop Trench

• Alta velocidade de chaveamento

• Baixas perdas de potência

• Produto novo

Aplicações:

• Máquinas de solda inversoras

• Fontes chaveadas

• Inversores

• Nobreaks / UPS

• Conversores industriais

• Circuitos PFC

• Equipamentos eletrônicos industriais

PRODUTO NOVO.

GARANTIA: 90 DIAS.