TRANSISTOR IGBT 40T120QES = MBQ40T120 QES - 1200V 40A - TO247

Transistor IGBT MBQ 40T120QES 1200V 40A TO-247

O MBQ40T120QES é um transistor IGBT de alta potência desenvolvido para aplicações de chaveamento em equipamentos industriais e eletrônicos de alta performance. Com capacidade de operação em até 1200V e corrente de 40A, oferece excelente eficiência, alta velocidade de comutação e baixa dissipação de energia.

Ideal para utilização em inversores de frequência, máquinas de solda inversoras, nobreaks, sistemas de energia solar, circuitos PFC e fontes chaveadas de alta potência.

Especificações Técnicas:

Modelo: MBQ40T120QES

Tipo: IGBT

Tensão Máxima: 1200V

Corrente Máxima: 40A

Corrente de Pico: 160A

Encapsulamento: TO-247

Tecnologia Field Stop Trench

Diodo rápido integrado

Alta eficiência e confiabilidade

Produto novo e pronto para envio.